MMBTA 56 LT1 全国供应商、价格、PDF资料

MMBTA 56 LT1详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 80V SOT-23

系列：-

制造商：Infineon Technologies

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：330mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：PG-SOT23-3

包装：Digi-Reel®

MMBTA 56 LT1详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 80V SOT-23

系列：-

制造商：Infineon Technologies

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：330mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：PG-SOT23-3

包装：带卷 (TR)

MMBTA 56 LT1详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 80V SOT-23

系列：-

制造商：Infineon Technologies

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：330mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：PG-SOT23-3

包装：剪切带 (CT)